用半导体材料制成的将射线能量转换成电信号的射线探测器。它实质上是在一块半导体材料上设置一个阴极(高掺杂的P+层)和一个阳极(高掺杂的N+层)构成的较大体积的晶体二极管(约0.01~200cm3)。入射粒子进入半导体探测器后...[继续阅读]
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用半导体材料制成的将射线能量转换成电信号的射线探测器。它实质上是在一块半导体材料上设置一个阴极(高掺杂的P+层)和一个阳极(高掺杂的N+层)构成的较大体积的晶体二极管(约0.01~200cm3)。入射粒子进入半导体探测器后...[继续阅读]
典型的半导体主要是由共价键结合的晶体。如硅、锗的晶体具有金刚石结构(图1),Ⅲ-Ⅴ化合物以及一些Ⅲ-Ⅵ化合物具有闪锌矿结构(图2)或纤锌矿结构(图3)。这些都是最典型的共价键结合的晶体结构,其中每个原子由四个共...[继续阅读]
在强电场作用下,半导体中载流子的平均动能显著超过热平衡载流子的平均动能。这种被显著加热了的载流子称为热载流子。有关现象通常称热电子现象。 在电场中,载流子一方面从电场获得能量,另一方面通过碰撞把所获得...[继续阅读]
隧道效应──微观粒子能透入按经典力学规律它不可能进入的势垒区,是反映微观粒子的波动性的一种基本效应。可以把半导体(或绝缘体)中的电子迁移现象理解为在外电场下,束缚在一个原子中的电子,通过隧道穿透势垒,到...[继续阅读]
在强电场下,半导体中的载流子会被电场加热(见半导体中的热载流子),部分载流子可以获得足够高的能量,这些载流子有可能通过碰撞把能量传递给价带上的电子,使之发生电离,从而产生电子-空穴对,这种过程称为碰撞电离。...[继续阅读]