1.3.3 量子点太阳能电池

为了避免弛豫后SiGe层厚度超过临界厚度形成的结晶缺陷,最近有人提出并测试了其他方法。一种方法是用SK生长(Stranski-Krastanovgrowth),将生长的Ge层嵌入Si晶体矩阵(crystalmatrix),形成三维的岛(island)。嵌入的Ge层会增加电池基极的红外光吸 ......（本文共 1042 字 , 1 张图）     [阅读本文] >>