1.3.4.2 外延横向过度生长

通过绝缘体(dielectricum)SiO2的开口(opening),外延横向过度生长技术可以实现Si的择优外延生长,如图1.14(b)所示。通过热氧化(thermaloxidation),得到的绝缘体SiO2具有掩蔽层(maskinglayer)的作用。化学气相沉积CVD的择优特性来自于控制Si蚀刻和Cl气 ......（本文共 840 字 , 2 张图）     [阅读本文] >>