2.3.1 区熔再结晶的发展

所属栏目：薄膜太阳能电池

2.3.1 区熔再结晶的发展

如果通过高温的化学气相沉积CVD在异质衬底上沉积Si薄膜,典型的晶粒尺寸在μm量级。到目前为止,运用传统晶体硅薄膜太阳能电池工艺,将这种Si薄膜制备为p-n结,得到的最高转换效率低于6%[26,53,54]。但是,通过固相再结晶或液相再结晶 ......（本文共 1961 字 , 2 张图）     [阅读本文] >>


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