2.3.3.2 籽晶层的位错密度

所属栏目：薄膜太阳能电池

2.3.3.2 籽晶层的位错密度

2.3.2节讨论了区熔再结晶ZMR工艺中亚晶界缺陷的形成机理。在ZMR工艺步骤后,高掺杂的Si薄膜需要通过外延生长,形成正常掺杂的较厚Si薄膜,才能制备异质衬底晶体硅薄膜太阳能电池。所以,ZMR籽晶层的缺陷与外延生长薄膜的关系非常重 ......（本文共 1011 字 , 3 张图）     [阅读本文] >>


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