2.4.2.1 生长速率

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2.4.2.1 生长速率

常压化学气相沉积APCVD的前驱物是SiHCl3-H2系统,对应的生长速率,即沉积速率,依赖于沉积温度、气相成分和总气压,这很容易得到实验的证实(demonstration)。为了确定最优化的工作点和最优化的反应腔几何设计,对沉积反应建立分析模型不 ......（本文共 985 字 , 1 张图）     [阅读本文] >>


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