2.4.4 在陶瓷衬底上的硅沉积

所属栏目：薄膜太阳能电池

2.4.4 在陶瓷衬底上的硅沉积

在SiO2或其他中间层上用SiHCl3通过常压化学气相沉积APCVD进行多晶硅沉积,是微电子领域的常规工艺。2.4.3节描述的反应腔和工艺适用于异质衬底晶体硅薄膜太阳能电池,在镀有SiO2的Si衬底上沉积多晶硅层,之后经过区熔再结晶ZMR形成籽晶 ......（本文共 1612 字 , 4 张图）     [阅读本文] >>


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