3.1.2 DFB激光器结构和制作工艺

通常DFB激光器需要采用二步外延生长的工艺制作。目前半导体晶体最常用和成熟的生长方法是有机金属化学汽相沉积(MetalOrganicChemicalVaporDeposition,MOCVD)和分子束外延(MolecularBeamEpitaxy,MBE)技术。首先在衬底(通常为N型半导体)上生长N型限 ......（本文共 1451 字 , 1 张图）     [阅读本文] >>