单晶4H-SiC的摩擦诱导化学机械复合加工(FCMM)实验研究

摘要： 单晶碳化硅(SiC)凭借其优异的材料性能成为下一代电力电子器件和光电子器件的优选衬底材料,但碳化硅的高硬脆性，强化学惰性对其高效精密加工带来了巨大挑战。提出一种基于摩擦诱导化学作用与低硬度磨粒机械作用复合的SiC晶片加工新思路。跟踪了4H-SiC在不同铁基烧结盘以及不同加工工艺参数下材料去除率随时间的变化；检测了加工后晶片的表面质量及亚表面损伤。实验结果表明摩擦诱导化学机械复合...