2.1.3 晶闸管性能提升

(1) 关键技术的突破。1)特高压电力半导体器件电压片厚比极大化设计理念,使晶闸管达到最高阻断电压。按常规理念,要使晶闸管达到一个极高的阻断电压(8500V),需要增加硅单晶的厚度。而器件物理原理表明,增加硅片厚度仅有利于获取 ......（本文共 2215 字 , 3 张图） [阅读本文] >>

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