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照片81 Al₂O₃/SiC纳米复合陶瓷中的小角晶界
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照片81 Al₂O₃/SiC纳米复合陶瓷中的小角晶界图片（共1张） :

照片81 Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/SiC纳米复合陶瓷中的小角晶界

(1)它是由1/3[210]和1/3[210]两组位错反应的结果,位错来源于SiC/Al2O3应力场。(2)箭头处所示的SiC粒子为位错所钉扎,形成SiC-位错锁,它们位于亚晶界附近,可以阻碍晶界迁移。（本文共 101 字 , 1 张图） [阅读本文] >>

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