总剂量与单粒子协合效应对SRAM单粒子翻转敏感性影响的仿真研究

摘要： 静态随机存储器（SRAM）在空间环境中可能会受到总电离剂量（TID）效应和单粒子效应（SEE）协合作用的影响，导致器件单粒子翻转（SEU）的敏感性发生改变。文章针对90 nm的SRAM器件，通过器件级和电路级的综合仿真手段，利用计算机辅助设计（TCAD）和集成电路模拟程序（SPICE）软件研究TID和SEE的协合作用对SRAM器件SEU敏感性的影响机制。发现：当TID和SEE作... （共9页）