基于实验与仿真的SiC JFET单粒子效应研究

摘要： 我国航天事业发展迅速，大型空间平台的建设以及高性能电推进系统的应用对功率半导体器件的性能提出了越来越高的要求。SiC高压功率器件抗辐射研究亟待突破。对SiC JFET器件施加不同的偏置电压，进行重离子辐照实验，实验表明，SiC JFET器件存在与SiC MOSFET类似的单粒子漏电退化与单粒子烧毁2种失效模式，漏电退化程度与漏极偏置电压、重离子注量呈正相关。通过Sentauru...