桥式电路中SiC MOSFET串扰峰值预测算法研究

摘要： 文中针对串扰电压峰值与驱动回路阻抗间的非线性关系，分段分析共源电感存在时串扰产生机理，提出一种碳化硅(silicon carbide,SiC)金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)串扰电压的分析模型及预测算法。所提算法综合考虑共源电感、非线性极间电容等寄生参数与探头接线的影响，...