基于寄生电感优化的分立式SiC MOSFET器件压接封装方法研究

摘要： 现有沿用传统Si器件TO-247-3封装的分立式SiC MOSFET器件受限于键合线和平面换流回路，封装寄生电感偏大，增大器件高频工况下的开关损耗。对此，该文提出一种去键合线、具有垂直换流回路的低寄生电感分立式SiC MOSFET器件压接封装方法。首先，基于封装结构，评估现有TO-247-3分立式SiC MOSFET器件封装寄生电感的分布特性；其次，针对小尺寸SiC MOSFE...