18kV/125A碳化硅IGBT器件研制及串联应用关键技术研究

摘要： 高压碳化硅(silicon carbide,SiC)器件因具有耐高压、耐高温、低损耗等优异特性，已成为支撑未来新型电力系统建设的新型电力电子器件。文中基于自主研制的18k V/12.5A高压SiC绝缘栅双极型晶体管(insulatedgatebipolar transistor,IGBT)芯片，提出18k V SiC IGBT单芯片子模组及10芯片并联封装设计方案，研制18k ...