单栅脉冲反应离子束刻蚀二氧化硅实验研究

摘要： 为了提高刻蚀速率及降低刻蚀表面均方根粗糙度，文章采用脉冲引出单栅极反应离子源实验研究了SF₆/Ar离子束刻蚀二氧化硅过程中，气体比例、射频功率、气体总流量、脉冲偏压电源的占空比、入射角对刻蚀速率、均方根粗糙度的影响规律。结果表明，在不同条件下，射频功率对刻蚀速率、均方根粗糙度的影响规律是不同的；SF₆气体占比越高，刻蚀速率相对越大；随着气体总流量的增加，刻蚀速率逐渐增加，均... （共5页）