一种X波段三叉H型低电压RF MEMS开关设计

摘要： 针对射频电路系统所需要的低电压，高隔离度，低插入损耗的应用需求，通过对开关正对面积对驱动电压产生的影响进行探究，设计了一款应用于X波段三叉H型的RF MEMS开关。开关具有六条悬臂梁作为支撑，通过增大上极板面积来降低开关的开启电压。分别使用HFSS和COMSOL对开关的射频性能和机械性能进行仿真，开关最终优化后，在8-12GHz内，插入损耗为0.26～0.57 dB，隔离度大于...