软击穿对压控磁各向异性磁隧道结及其读电路性能影响
北京工业大学学报
页数： 8 2023-12-02
摘要： 为了解决软击穿导致的压控磁各向异性磁隧道结(voltage-controlled magnetic anisotropy magnetic tunnel junction, VCMA-MTJ)及其读电路性能下降的问题，在对VCMA-MTJ软击穿机理深入分析的基础上，修正了VCMA-MTJ的电学模型，设计了一种具有固定参考电阻的VCMA-MTJ读电路和一种具有参考电阻调控单元的V... （共8页）
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