SiC探测器的中子和γ性能测试

摘要： 第三代SiC半导体探测器具有体积小、响应时间快、中子/伽马（n/γ）甄别容易等优点，广泛应用于反应堆堆芯剂量监测。本文针对自研的第三代Si C半导体探测器，采用电子束蒸发真空镀膜的技术将中子转换层材料6LiF(6Li丰度为95%)喷镀到SiC基底上，厚度为25μm，实现了中子转换层厚度优化。利用241Am α放射源（活度9.37×10~3 Bq）开展α粒子响应信号幅度的测量，并... （共6页）