SRAM单元的单粒子效应三维敏感区形状参数模拟仿真方法

摘要： 为揭示静态随机存储器（SRAM）辐射效应以及内部电荷收集变化规律，从而为器件辐射效应及加固提供有效的仿真数据支撑，针对器件在轨单粒子翻转（SEU），提出一种SRAM单元的三维敏感区形状参数模拟仿真方法。首先通过器件级和电路级仿真相结合的手段，利用计算机辅助设计（TCAD）构建三维模型；然后通过仿真获得重离子从不同方向入射后的单粒子瞬态电流，将此电流作为故障注入到65 nm SR... （共8页）