Hg_(0.72)Cd_(0.28)Te扫描隧道谱的模型解释

摘要： 本工作利用截面扫描隧道显微镜（XSTM）研究了分子束外延生长的Hg_(0.72)Cd_(0.28)Te薄膜。扫描隧道谱（STS）测量表明，此碲镉汞材料的电流-电压（I/V）隧道谱呈现的零电流平台宽度（隧道谱表观带隙）比其实际材料带隙增大约130%，说明存在明显的针尖诱导能带弯曲（TIBB）效应。STS三维TIBB模型计算发现低成像偏压测量时获取的I/V隧道谱数据与理论计算结果有...