SONOS存储单元数据保持特性退化研究

摘要： 探讨了基于Fowler-Nordheim(F-N)隧穿进行编程、擦除的硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)存储单元在擦写循环后的数据保持特性。分别通过分析和实验研究了擦写过程中操作电压大小对于VTH(编程)态、VTL(擦除)态存储单元数据保持性能退化的影响。对于VTH态单元，其数据保持性能退化程度受操作电压大小的影响不明显，电荷流失速度主要受温度影响；而VTL态单元数据... （共5页）