环境温度对HfO₂铁电存储器的质子辐照效应影响研究

摘要： 基于HfO₂的铁电随机存取存储器(FeRAM)具有功耗低、存取速度快，易于小型化，抗干扰能力强等优势，在航天航空领域有广袤的发展空间。然而，FeRAM在太空环境下的抗辐照性能尚未得到全面的研究。研究了W/TiN/Hf_(0.5)Zr_(0.5)O₂(HZO)/TiN铁电存储器在常温和高温环境下经5 MeV质子辐照后的电学特性和铁电畴结构变化。通过电学和压电响应力显微镜(PF... （共8页）