Ⅰ型倍增层对异质SAM结构InSb-APD红外探测器性能的影响

摘要： 红外探测器的光电特性会受到内部结构倍增层参数的影响，为了能够改善器件的雪崩效应，借助仿真软件Silvaco-TCAD，详细探讨了Ⅰ型倍增层的残余掺杂浓度和厚度对异质SAM结构ⅠnSb-APD红外探测器性能的影响。研究结果表明，随着Ⅰ型倍增层掺杂浓度的增加，其倍增层内的电场强度峰值增加，同时光响应度略微增加；随着Ⅰ型倍增层厚度的增加，其倍增层的光响应度与暗电流密度升高，同时电场强... （共6页）