一种基于开通栅极电压的新型IGBT键合线老化监测方法

摘要： 绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistors,IGBT)的可靠运行是牵引变流器安全和性能的重要保障。键合线老化作为IGBT的一种常见失效模式，对其进行监测具有重要意义。文中提出一种基于开通栅极电压ugem的键合线老化监测方法，该方法可有效避免温度和负载电流带来的影响。首先，基于IGBT等效电路模型，系统分析ugem受键合线断裂影响的原... （共12页）