溅射功率对InZnO薄膜晶体管电学性能的影响研究

摘要： 采用射频磁控溅射法，在室温下Si/SiO₂衬底上制备InZnO薄膜晶体管，并研究不同溅射功率（25,50,75和100 W）对InZnO薄膜晶体管电学性能的影响。XRD表征结果表明，不同溅射功率制备的InZnO薄膜均出现晶面为（002）面的多晶态结构。通过电学特性研究发现，当溅射功率为50 W时，电流的开关比为3×10~7，场效应迁移率为14.8 cm~2V^-1s~(-... （共8页）