等离子体增强原子层沉积二氧化硅对多晶硅的损伤机理及防范工艺研究

摘要： 文章通过电子束检测（EBI）手段研究了等离子体增强原子层沉积（PEALD） SiO₂过程中硅烷基酰胺类前驱体副产物对多晶硅产生不可逆损伤的机理。提出用单胺基硅烷基酰胺替代多胺基硅烷基酰胺作为前驱体，来减轻对多晶硅材料的损伤。在不损伤多晶硅前提下，进一步研究化学位阻较小的单胺基前驱体二异丙胺硅烷（DIPAS）对反应速率的影响。 （共7页）