一种低暗计数率P-I-N结构的单光子雪崩二极管探测器

摘要： 基于180 nm BCD工艺制备出一种P型注入增强型P-I-N结构的单光子雪崩二极管（SPAD）探测器。采用P型漂移区与高压N~+埋层之间的低掺杂浓度P型外延层作为I层深结雪崩区，提高了近红外波段的光子探测概率（PDP）。利用低掺杂浓度的P型外延层作为虚拟保护环，防止了器件横向击穿，降低了暗计数率（DCR）。测试结果表明，虚拟保护环宽度（GRW）为5μm时，器件雪崩电压为56 ... （共6页）