不同掺杂浓度Lu掺杂GaN电子结构和光学性质的第一性原理研究

摘要： 采用密度泛函理论下的第一性原理平面波超软赝势方法，计算了本征GaN和不同Lu掺杂浓度（原子数分数）Ga_(1-x)Lu_xN(x=0.0625、0.125、0.1875、0.25）体系的电子结构和光学性质，研究了掺杂浓度为12.5%和18.75%时相同掺杂量下不同空间有序占位体系结构的稳定性。计算结果表明：掺杂后体系晶格参数均有所增大，Lu的掺入诱导了浅能级杂质，使掺杂后体系带... （共9页）