薄膜铌酸锂多尖端端面耦合结构

摘要： 为提升薄膜铌酸锂芯片端面耦合的效率和稳定性，结合铌酸锂材料的刻蚀特点和工艺条件，设计并研究双层多尖端逆锥形的耦合结构。通过仿真计算、参数扫描和对比分析，探究双尖端和三尖端逆锥形耦合结构的特性及其参数选取方案。多尖端设计可扩大端面处的模场，从而降低对加工精度的要求。在侧壁倾角62°和最小宽度150 nm的工艺条件下，理想的双尖端和三尖端结构分别在1550 nm波长处实现0.47 ...