铝掺杂对硒化铟晶体结构与性能的影响

摘要： 硒化铟(InSe)是一种新型的窄禁带(1.3 eV)层状半导体，具有优异的塑性和电学性能，在新型电子和光电子器件中具有广泛应用前景。采用布里奇曼(Bridgman)法生长了未掺杂和铝掺杂的InSe晶体，通过能谱仪(EDS)和扫描电子显微镜(SEM)对制备材料的化学成分和表面形貌进行了表征。本文研究发现，铝掺杂可调节InSe晶体的塑性和光电性能。X射线衍射(XRD)分析表明晶体具... （共8页）