MoSi₂N₄的本征点缺陷以及掺杂特性的第一性原理计算

摘要： 新兴二维材料MoSi₂N₄因其卓越的半导体性能,包括出色的环境稳定性和高载流子迁移率而受到相当多的关注.然而,半导体中的本征缺陷往往不可避免并且会显著影响器件性能.本文使用密度泛函理论计算并分析了MoSi₂N₄中本征点缺陷的性质及其产生的影响.首先确认了该材料物理性质与目前实验数据的一致性,之后通过计算12种本征缺陷的形成能,发现钼替硅型反位缺陷(Mosi)在所有本征缺... （共9页）