高温高斜率效率1060 nm单模半导体激光器

摘要： 1 060 nm半导体激光器在高能激光系统种子源、空间激光雷达等领域具有广泛的应用，受限于砷化镓体系InGaAs量子阱材料大应力，在1 060 nm波段激光器外延生长缺陷密度较高，且由于目前该波段激光器结构设计普遍采用窄波导结构，腔内损耗和非辐射复合水平较高，激光器斜率效率较低，高温特性较差。传统InGaAs压应变量子阱势垒高度较低加剧了激光器的高温特性劣化。文章通过优化激光器... （共4页）