当前位置:首页 > 科技文档 > 无线电电子学 > 正文

散热底板对IGBT模块功率循环老化寿命的影响

电工技术学报 页数: 11 2023-05-18
摘要: 功率半导体模块通常采用减小结壳热阻的方式来降低工作结温,集成Pin-Fin基板代替平板基板是一种有效的选择。两种封装结构的热阻抗特性不同,可能对其失效机理及应用寿命产生影响。针对平板基板和集成Pin-Fin基板两种常见车规级IGBT模块进行了相同热力测试条件(结温差100 K,最高结温150℃)下的功率循环试验,结果表明,散热更强的Pin-Fin模块功率循环寿命低于平板模块。失... (共11页)

开通会员,享受整站包年服务立即开通 >