面向聚变中子探测的宽禁带半导体探测器关键问题与研究挑战

摘要： 近年来国际聚变反应研究获得重大进展，选择抗位移能力强的宽禁带半导体探测器是推动聚变研究的关键技术之一.金刚石超宽禁带半导体具备卓越抗辐照和时间响应等特性，是聚变诊断特别是高能中子诊断的理想材料，碳化硅宽禁带半导体也可测量中子，且大尺寸外延技术更成熟，可覆盖聚变研究装置上的大规模应用.通过这两种宽禁带半导体辐射探测器的研究并实现自主可控的高性能器件制备，将显著提高我国核聚变反应测... （共6页）