有源层溅射工艺及后退火温度对IZO TFT电性能的影响

摘要： 为了提高氧化物薄膜晶体管的器件性能，以掺In氧化锌(IZO)为有源层，原子层沉积法(ALD)沉积的Al₂O₃薄膜为栅介层，制备了基于IZO的薄膜晶体管(IZO TFT)，研究了IZO薄膜制备工艺中溅射气体氩氧流量比、溅射压强和后退火温度等工艺参数对TFT器件电学性能的影响。结果表明，在恰当的氩氧比和反应气压以及相对较高的退火温度下制备的IZO TFT具有良好的电学特性，当氩...