氧分压对a-Ga₂O₃基日盲紫外光电探测器性能的影响研究

摘要： 非晶氧化镓(a-Ga₂O₃)基日盲紫外光电探测器的性能与a-Ga₂O₃薄膜内的氧空位有关，氧空位的浓度制约着探测器的响应度和响应速度。为了在探测器的响应度和响应速度之间达到平衡，本文通过微调射频磁控溅射过程中的氧分压，调控薄膜内的氧空位浓度，并在此基础上成功制备金属-半导体-金属(metal-semiconductor-metal,MSM)型日盲紫外探测器。研究结果显示...