碳化硅多孔介质内渗硅过程的仿真研究

摘要： 对仿真熔硅在碳化硅多孔预制体内的渗流过程进行深入研究，不仅有助于了解反应熔渗过程缺陷的成因，还有助于揭示特殊渗流现象的成因。本文基于水平集法、N-S方程、杨氏方程，在由光学显微镜图像提取重构的二维孔道内，进行了熔硅毛细熔渗过程的仿真，重点模拟了由40μm颗粒经模压构成的预制体和基于颗粒级配工艺的预制体内的熔渗过程。结果表明：入渗过程中较大的入口有利于熔渗的快速进行，熔渗过程在同... （共14页）