硅外延生长反应腔内外延反应过程的数值仿真建模及实验研究

摘要： 硅外延片是大规模集成电路、半导体器件等的基础功能材料，是通过外延反应在单晶硅片上生长均匀的外延薄层。外延层的厚度和电阻率的均匀性控制是硅外延生长的关键技术难题，其生长质量受反应腔室的结构与热流场设计影响较大。基于单片式硅外延生长反应腔室的结构，建立了反应腔内气体输运与外延反应的多物理场仿真模型，分析了腔室结构对热场分布均匀性的影响规律。随后通过数值仿真，研究了载气流量、进气梯度...