碳化硅纳米抛光亚表面损伤机理的分子动力学模拟

摘要： 碳化硅(SiC)在表面微纳加工过程中损伤机理的研究不足限制了SiC的加工表面质量及应用，因此了解不同抛光参数下SiC的损伤机理对提高SiC的纳米加工表面质量具有重要意义。采用分子动力学模拟研究了单晶SiC在纳米抛光过程中的亚表面损伤机理，并考虑了抛光速度和抛光深度的影响。结果表明，随着抛光深度的增加，SiC的去除机制逐渐由以黏附和犁沟机制为主转变为以切削机制为主。微裂纹通过滑移... （共10页）