非本征背照触发平面型4H-SiC光导开关性能研究（英文）
无机材料学报
页数： 7 2024-05-15
摘要： 光导开关(PCSS)是脉冲高功率系统和微波技术应用中的关键器件,减小碳化硅(SiC)光导开关的损伤,延长器件寿命是重要的研究方向。本工作在直径4英寸、厚度500μm的高纯半绝缘4H-SiC衬底上制备多种结构的光导开关器件,重点研究了导通电阻和损伤机制。1kV偏压下,采用532nm、170mJ的脉冲激光背面照射触发经过950℃退火的Au/TiW/Ni电极体系的碳化硅光导开关,最小...
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