栅氧老化下SiC MOSFET开通瞬态栅极振荡特性研究

摘要： 栅氧老化问题已成为制约碳化硅(SiC)金属半导体氧化物场效应管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)可靠性的关键因素，该文尝试利用SiC MOSFET高速开关在变换器中引起的高频开关振荡获取栅氧状态信息，重点研究栅氧老化对开通瞬态栅极高频振荡特性的影响。首先，分析SiC MOSFET栅氧老化机理及其对... （共10页）