基于有源箝位技术的SiC MOSFET串联均压有源驱动电路研究

摘要： 功率器件串联技术是实现高压应用的有效途径之一，而串联应用的主要制约因素是串联器件之间的动态均压问题。该文针对不均压条件下串联器件的关断行为进行了理论分析，探究不均压的产生机理，提出一种基于有源箝位技术的碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管串联均压有源驱动，其利用有源箝位电路检测串联器件之间的电压不均衡，并箝位电压尖峰，通过反馈控制器件栅极电荷及开关瞬态行为实现均压。该方案不存在... （共14页）