基底均匀掺杂下 EBCMOS 空间分辨率的影响因素研究

摘要： 电子轰击互补金属氧化物半导体(EBCMOS)是一种结合电子束轰击和CMOS技术的先进成像技术。为提升EBCMOS的成像质量，获得高分辨率的EBCMOS微光成像器件，对EBCMOS电子倍增层结构均匀掺杂下的空间分辨率的影响因素进行了研究。依据载流子传输和复合理论结合蒙特卡洛方法，建立了EBCMOS中电子倍增层内空间分辨率理论计算模型。模拟分析了在基底均匀掺杂下基底厚度、基底掺杂浓... （共8页）