增强型GaN HEMT器件5 MeV质子辐照试验研究

摘要： 氮化镓器件凭借优异的性能在抗辐照应用领域备受关注，为探究不同结构的氮化镓器件抗质子辐照能力，开展了对增强型Cascode级联结构和P-GaN栅结构GaN高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor,HEMT）器件的5 MeV质子辐照试验，分析器件电学特性退化规律，并明确其质子辐照效应损伤机制。试验发现，质子辐照注量越大，Cascode结... （共8页）