碳纳米管场效应晶体管的制备技术发展与挑战

摘要： 由平行阵列碳纳米管（Aligned carbon nanotubes, ACNTs）材料构建的场效应晶体管因其超高的载流子迁移率、尺寸缩减潜力、互补金属氧化物半导体（Complementary-metal-oxide-semiconductor, CMOS）的可实现性以及晶圆级制备的可能性，成为后摩尔时代高性能、低功耗场效应晶体管的强力候选者。本文综述了碳纳米管场效应晶体管的制... （共16页）