高温栅偏和电子辐照对SiC MOSFET阈值电压影响研究

摘要： 为研究栅氧化物在不同老化程度下电子辐照对SiC MOSFET可靠性的影响，结合高温栅偏和电子辐照2种实验对SiC MOSFET电学特性进行分析，讨论栅氧化物受到高温和强电场应力后电子辐照对SiC MOSFET阈值电压的影响。为避免封装材料在高温和电子辐照下对阈值电压产生影响，实验时将被测器件裸露于空气中。实验结果表明，高温正栅偏后器件阈值电压对电子辐照更加敏感，因此提出了电子辐... （共7页）