健那绿B平整剂对芯片互连钴的电沉积成核机理研究

摘要： 目的 探究了钴互连金属电子电镀工艺中的电镀成核机理，使用健那绿B(Janus Green B,JGB)对钴的电沉积进行进一步优化，并研究了JGB在改善电镀质量过程中的作用机理。方法 采用电化学测试方法包括循环伏安、电流瞬态曲线，以及表征方法包括扫描电子显微镜（SEM）以及X射线衍射光谱（XRD），对钴在阻挡层Ti N上的电子电镀机理以及JGB作用下的成核特点及晶体特性等进行研究... （共10页）