GaInP/GaAs/Ge太阳电池边缘Si₃N₄钝化研究

摘要： GaInP/GaAs/Ge太阳电池相比于Si基、CIGS、CdTe等材料具有更高的光电转换效率，结构材料具有少子寿命短、复合速率快的特点。电池在加工过程中边缘侧截面会产生大量缺陷，同时表面悬挂键造成态密度增加，表面光生少数载流子复合对光电转换性能负面影响严重。为提升电池光电转换性能，通过光刻、湿法刻蚀在电池边缘制作台阶来降低缺陷密度，通过PECVD工艺在侧截面上沉积Si₃N_... （共4页）